Аналитическая роспись статей. . Муниципальная Информационно-Библиотечная Система г. Новокузнецка

Главная

Сайт МБУ "МИБС"

Инструкция по поиску в WEB-ИРБИС

Видеоуроки по поиску в WEB-ИРБИС

Базы данных

Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Периодика МИБС

Периодика Новокузнецка

Статьи

Краеведческие статьи

Списанные книги

Область поиска

Поисковый запрос: (<.>K=кремниевые транзисторы<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Полевые n-канальные транзисторы КП7173А / материал подгот. В. Киселев // Радио. - 2008. - № 6. - С. 41-42 : 10 рис. - (Справочный листок) )
. - ISSN 0033-765X

УДК

^A621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
n-канальные транзисторы -- КП7173А -- кремниевые транзисторы -- полевые транзисторы -- технические характеристики -- транзисторы
Аннотация: Мощные кремниевые полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением канала, с включенным между затвором и истоком двуанодным защитным стабилитроном и мощным защитным диодом, включенным между стоком и истоком, изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для использования в источниках питания телевизионных приемников, мощных высоковольтных преобразователях, телекоммуникационных системах и другой электронной аппаратуре.

Доп.точки доступа:
Киселев, В. \.\
Источник статьи
Прямая ссылка
Найти похожие

Полевые транзисторы серии КП511 / материал подгот. В. Киселев // Радио. - 2008. - № 7. - С. 43-44 : 8 рис. - (Справочный листок) )
. - ISSN 0033-765X

УДК

^A621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
n-канальные транзисторы -- КП511А -- КП511Б -- кремниевые транзисторы -- полевые транзисторы -- технические характеристики -- транзисторы
Аннотация: Кремниевые n-канальные полевые транзисторы средней мощности КП511А, КП511Б с изолированным затвором, обогащением канала, со встроенным защитным диодом, включенным в обратной полярности между истоком и стоком, изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Транзисторы предназначены для работы в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Доп.точки доступа:
Киселев, В. \.\
Источник статьи
Прямая ссылка
Найти похожие

Киселев, В.
Комплементарные мощные транзисторы серий КТ8115,КТ8116 / В. Киселев // Радио. - 2002. - № 9. - С. 47. - (Справочный листок) )

УДК

^A621.396

ББК 32.84
Рубрики: Радиоэлектроника
Общая радиотехника
Кл.слова (ненормированные):
КТ8115 (транзисторы) -- КТ8116 (транзисторы) -- кремниевые транзисторы -- радиотехника -- транзисторы комплементарные
Аннотация: Описаны основные характеристики,предельные эксплуатационные значения кремниевых мощных транзисторов серии КТ8115А-КТ8115В и КТ8116А-КТ8116В,изготовляемых по эпитаксиально-планарной технологии,предназначенные для работы в оконечных ступенях усилителей ЗЧ,в преобразователях напряжения и другой аппаратуре широкого применения.

Источник статьи
Прямая ссылка
Найти похожие

Киселев, В.
Мощный полевой транзистор КП784А / В. Киселев // Радио. - 2003. - № 5. - С. 49-50. - (Справочный листок) )
. - ISSN XXXX-XXXX

УДК

^A621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника
Кл.слова (ненормированные):
КП784А (транзисторы) -- кремниевые транзисторы -- полевые транзисторы -- технические характеристики -- транзисторы полевые -- электроника
Аннотация: Кремниевые p-канальные транзисторы КП784А с изолированным затвором и обогащением канала,со встроенным защитным диодом изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии.Приборы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом,в регуляторах,стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением,в узлах питания компьютеров,в устройствах привода электродвигателей и другой аппаратуре широкого применения.

Источник статьи
Прямая ссылка
Найти похожие

Высоковольтные транзисторы КТ8247А / материал подгот. В. Киселев // Радио. - 2006. - № 8. - С. 51-52. - (Справочный листок) )
. - Ил.: 6 рис. . - ISSN 0033-765X

УДК

^A621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника
Кл.слова (ненормированные):
КТ8247А -- кремниевые транзисторы -- осветительные приборы -- преобразователи напряжения -- приборы осветительные -- пускорегулирующие устройства -- технические характеристики -- транзисторы -- устройства пускорегулирующие -- эпитаксиально-планарные транзисторы
Аннотация: Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы КТ8247А предназначены для работы в преобразователях напряжения, пускорегулирующих устройствах осветительных приборов и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Даны основные технические характеристики.

Источник статьи
Прямая ссылка
Найти похожие

Мощный биполярный транзистор с изолированным затвором КЕ703А / материал подгот. В. Киселев // Радио. - 2007. - № 2. - С. 51-52. - (Справочный листок) )
. - Ил.: 9 рис. . - ISSN 0033-765X

УДК

^A621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника
Кл.слова (ненормированные):
IGBT -- БТИЗ -- КЕ703А -- биполярные транзисторы -- биполярные транзисторы с изолированным затвором -- кремниевые транзисторы -- приборы БТИЗ -- технические характеристики -- транзисторы
Аннотация: Кремниевые мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором (русская аббревиатура - БТИЗ, англ.- IGBT) КЕ703А, изготавливаемые по эпитаксиально-планарной технологии, предназначены для работы в блоках электронного зажигания бензиновых двигателей внутреннего сгорания, а также в другой промышленной и бытовой аппаратуре. Приводятся основные технические характеристики, предельно допустимые значения, цоколевка.

Источник статьи
Прямая ссылка
Найти похожие

Меркулов, В.
Обращение потенциала в реальность: изобретение микросхемы / В. Меркулов // Радио. - 2008. - № 10. - С. 5-8 : 9 рис. - Библиогр.: с. 8 (12 назв. )
. - ISSN 0033-765X

УДК

^A621.37/.39(091)

ББК 32г
Рубрики: Радиоэлектроника
История радиоэлектроники--Россия--Силиконовая долина--США, 1948-2008 гг.
Кл.слова (ненормированные):
изобретение микросхемы -- информационные технологии -- кремниевые транзисторы -- микроприемники -- микросхемы -- микроэлектроника -- миниатюрные радиоприемники -- радиоприемники -- транзисторы
Аннотация: В текущем году исполняется 50 лет созданию первой микросхемы и 85 лет со дня рождения ее изобретателя - американца Джона Килби. В статье рассмотрены события, относящиеся к разработке миниатюрного интегрального устройства.

Доп.точки доступа:
Килби, Дж; Центр микроэлектроникиНПО "Научный центр"; Научный центр, НПО
Источник статьи
Прямая ссылка
Найти похожие

Швец, Петр.
Транзистор на УНТ: лабораторная реальность / П. Швец // Техника-молодежи. - 2010. - № 5. - С. 14-15. - (Нанотехнологии) )
. - ISSN 0320-331X

УДК

^A621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
Y-образный транзистор -- быстродействие -- кремниевые транзисторы -- миниатюризация -- транзисторы -- углеродные нанотрубки
Аннотация: Созданы прототипы транзисторов на углеродных нанотрубках (УНТ). Такие транзисторы сравнимы по величине с отдельно взятой молекулой и значительно превосходят кремниевые по быстродействию.

Источник статьи
Прямая ссылка
Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)